A semiconductor device and a process for fabricating the device, including,
in one embodiment, a silicon substrate; a first interfacial barrier layer
on the silicon substrate, in which the first interfacial barrier layer may
include aluminum oxide, silicon nitride, silicon oxynitride or a mixture
thereof; and a layer of a high-K dielectric material. The device may
further include a second interfacial barrier layer on the high-K
dielectric material layer, and may further include a polysilicon or
polysilicon-germanium gate electrode formed on the second interfacial
barrier layer.
Un dispositif de semi-conducteur et un processus pour fabriquer le dispositif, y compris, dans une incorporation, un substrat de silicium ; une première couche-barrière dièdre sur le substrat de silicium, en lequel la première couche-barrière dièdre peut inclure l'oxyde d'aluminium, le nitrure de silicium, l'oxynitride de silicium ou un mélange ; et une couche d'un haut-K matériel diélectrique. Le dispositif peut plus loin inclure une deuxième couche-barrière dièdre sur la haute-K couche matérielle diélectrique, et peut plus loin inclure une électrode de porte de polysilicon ou de polysilicon-germanium formée sur la deuxième couche-barrière dièdre.
