A semiconductor structure including a semiconductor substrate, at least one
first crystalline epitaxial layer on the substrate, the first layer having
a surface which is planarized, and at least one second crystalline
epitaxial layer on the at least one first layer. In another embodiment of
the invention there is provided a semiconductor structure including a
silicon substrate, and a GeSi graded region grown on the silicon
substrate, compressive strain being incorporated in the graded region to
offset the tensile strain that is incorporated during thermal processing.
In yet another embodiment of the invention there is provided a
semiconductor structure including a semiconductor substrate, a first layer
having a graded region grown on the substrate, compressive strain being
incorporated in the graded region to offset the tensile strain that is
incorporated during thermal processing, the first layer having a surface
which is planarized, and a second layer provided on the first layer. In
still another embodiment of the invention there is provided a method of
fabricating a semiconductor structure including providing a semiconductor
substrate, providing at least one first crystalline epitaxial layer on the
substrate, and planarizing the surface of the first layer.
Een halfgeleiderstructuur met inbegrip van een halfgeleidersubstraat, minstens één eerste kristallijne epitaxial laag op het substraat, de eerste laag die een oppervlakte heeft die is planarized, en minstens één tweede kristallijne epitaxial laag op de minstens één eerste laag. In een andere belichaming van de uitvinding er verstrekt een halfgeleiderstructuur met inbegrip van een siliciumsubstraat, en een GeSi gesorteerd gebied dat op het siliciumsubstraat wordt gekweekt, worden samenpersende spanning die in het gesorteerde gebied wordt opgenomen de trekspanning te compenseren die tijdens thermische verwerking wordt opgenomen. In nog een andere belichaming van de uitvinding er verstrekt een halfgeleiderstructuur met inbegrip van een halfgeleidersubstraat, een eerste laag die een gesorteerd gebied heeft dat op het substraat wordt gekweekt wordt, samenpersende spanning die in het gesorteerde gebied wordt opgenomen de trekspanning te compenseren die tijdens thermische verwerking wordt opgenomen, de eerste laag die een oppervlakte heeft die planarized is, en een tweede laag op de eerste laag verstrekte. In nog een andere belichaming van de uitvinding er verstrekt een methode wordt om een halfgeleiderstructuur te vervaardigen met inbegrip van het verstrekken van een halfgeleidersubstraat, het verstrekken van minstens één eerste kristallijne epitaxial laag op het substraat, en het planarizing van de oppervlakte van de eerste laag.
