A light-emitting layer is provided on a substrate. A p-type semiconductor
layer is provided on the light-emitting layer. An upper electrode is
provided on the p-type semiconductor layer. The upper electrode includes
an Au thin film coming into contact with the p-type semiconductor layer
and an n-type transparent conductor film formed thereon. The n-type
transparent conductor film is formed by laser ablation.
Une couche luminescente est fournie sur un substrat. Un p-type couche de semi-conducteur est fourni sur la couche luminescente. Une électrode supérieure est fournie sur le p-type couche de semi-conducteur. L'électrode supérieure inclut une couche mince d'Au entrant en contact avec le p-type couche de semi-conducteur et un n-type film transparent de conducteur formé là-dessus. Le n-type film transparent de conducteur est constitué par ablation de laser.
