Semiconductor devices and ferroelectric memory cells therefor are provided,
where the cells include a ferroelectric capacitor with one or more
corners, as well as a transistor. Conductive bitline structures are
located near the corners of ferroelectric cell capacitors to facilitate
increased memory cell density and/or to increase capacitor area within a
given cell area. Methods are disclosed for fabricating semiconductor
devices with ferroelectric memory cells, wherein bitline structures are
located near one or more corners of the ferroelectric cell capacitors.
Los dispositivos de semiconductor y las células de memoria ferroelectric por consiguiente se proporcionan, donde las células incluyen un condensador ferroelectric con unas o más esquinas, así como un transistor. Las estructuras conductoras del bitline están situadas cerca de las esquinas de los condensadores ferroelectric de la célula para facilitar densidad creciente de la célula de memoria y/o para aumentar área del condensador dentro de un área dada de la célula. Los métodos se divulgan para los dispositivos de semiconductor que fabrican con las células de memoria ferroelectric, en donde las estructuras del bitline están situadas cerca de unas o más esquinas de los condensadores ferroelectric de la célula.
