A pre-diffused high density array of core memory cells is provided in a
metal programmable device. The peripheral logic is made up of gate array
cells in the metal programmable device. The peripheral logic may be
configured to access the core memory cells as various memory types,
widths, depths, and other configurations. If the entire memory is not
needed, then the unused memory cells can be used as logic gates. The
application-specific circuit, including peripheral logic, memory interface
logic, and memory configuration is programmed with a metal layer.
Uma disposição elevada pre-difundida da densidade de pilhas de memória do núcleo é fornecida em um dispositivo programável do metal. A lógica periférica é composta de pilhas da disposição de porta no dispositivo programável do metal. A lógica periférica pode ser configurarada para alcançar as pilhas de memória do núcleo como vários tipos da memória, larguras, profundidades, e outras configurações. Se a memória inteira não for needed, então as pilhas de memória não utilizadas podem ser usadas como portas da lógica. O circuito application-specific, including a lógica periférica, a lógica da relação da memória, e a configuração de memória é programado com uma camada do metal.