III group nitride system compound semiconductor light emitting element

   
   

A III group nitride system compound semiconductor light emitting element has a quantum well structure that includes a well layer of Al.sub.X1 Ga.sub.Y1 In.sub.1-X1-Y1 N, where 0 Ένα ΙΙΙ ομάδας νιτριδίων ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο ημιαγωγών συστημάτων σύνθετο έχει ένα κβάντο να κτίσει καλά που περιλαμβάνει ένα στρώμα φρεατίων Al.sub.X1 Ga.sub.Y1 In.sub.1-X1-Y1 ν, όπου 0

 
Web www.patentalert.com

< Module with built-in electronic elements and method of manufacture thereof

< Light emitting device

> Process for preparing elastomeric ethylene-hexafluoropropylene copolymer

> Optical disk and method of magnetically separating tracks of the optical disk

~ 00166