The present invention relates to a method for manufacturing a ferroelectric
field-effect transistor, particularly to a ferroelectric field-effect
transistor with a metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MFIS) gate
capacitor structure. The method comprises steps of depositing a bismuth
layered ferroelectric film on the insulator buffered Si, after a
high-temperature thermal treatment, depositing an upper electrode on the
bismuth layered ferroelectric film.
Die anwesende Erfindung bezieht auf einer Methode für die Produktion eines ferroelectric fangen-effect Transistors, besonders zu einem ferroelectric fangen-effect Transistor mit einer metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MFIS) Gatter-Kondensatorstruktur. Die Methode enthält Schritte vom Niederlegen eines Wismut überlagerten ferroelectric Filmes auf dem Isolierung abgedämpften Silikon, nach einer thermischen Hochtemperaturbehandlung und legt eine obere Elektrode auf dem Wismut überlagerten ferroelectric Film nieder.
