An IC with memory cells arranged in a chained architecture is disclosed.
The top local interconnect between the top capacitor electrodes and active
area is achieved by using a strap. The use of a strap eliminates the need
for additional metal layer which reduces manufacturing costs. Furthermore,
sidewall spacers are used to isolate the strap from the different layers
of the capacitors. The use of spacers advantageously enables the strap to
be self-aligned.
Un IC con le cellule di memoria ha organizzato in un'architettura concatenata è rilevato. L'interconnessione locale superiore fra gli elettrodi superiori del condensatore e la zona attiva è realizzata usando una cinghia. L'uso di una cinghia elimina l'esigenza dello strato supplementare del metallo che riduce i costi di manufacturing. Ancora, i distanziatori del muro laterale sono usati per isolare la cinghia dagli strati differenti dei condensatori. L'uso dei distanziatori permette vantaggiosamente alla cinghia auto-di essere allineato.
