A suspended semiconductor film is anchored to a substrate at at least two
opposed anchor positions, and film segments are deposited on the
semiconductor film adjacent to one or more of the anchor positions to
apply either tensile or compressive stress to the semiconductor film
between the film segments. A crystalline silicon film may be anchored to
the substrate and have tensile stress applied thereto to reduce the
lattice mismatch between the silicon and a silicon-germanium layer
deposited onto the silicon film. By controlling the level of stress in the
silicon film, the size, density and distribution of quantum dots formed in
a high germanium content silicon-germanium film deposited on the silicon
film can be controlled.
Suspended пленка полупроводника поставлена на якорь к субстрату на по крайней мере 2 сопротивляемых положениях анкера, и этапы пленки депозированы на пленке полупроводника за one or more из положений анкера для того чтобы приложить или растяжимое или давление при сжатии к пленке полупроводника между этапами пленки. Кристаллическая пленка кремния может быть поставлена на якорь к субстрату и иметь растяжимое усилие быть приложенным к тому для уменьшения рассогласования решетки между кремнием и слоем кремни-germanego депозированными на пленку кремния. Путем контролировать уровень усилия в пленке кремния, размер, плотность и распределение многоточий суммы сформировали в высокой пленке кремни-germanego содержания германего депозированной на пленке кремния могут быть controlled.
