In a reflective lithographic projection apparatus, shifts in the image of a
pattern of a mask in the scanning direction caused by variations in the
position of the pattern surface of the mask along the optical axis are
corrected by shifting of the relative position of the mask and/or the
substrate in the scanning direction. Correction of the image rotation
error may also be accomplished by rotation of the relative positions of
the mask and/or the substrate about the optical axis. Variations in the
position of the pattern surface of the mask along the optical axis may be
determined by interferometers upon installation of the mask to the
lithographic projection apparatus. The variations may be mapped and stored
to provide control of the lithographic projection apparatus.
In een weerspiegelend lithografisch projectieapparaat, worden de verschuivingen in het beeld van een patroon van een masker in de aftastenrichting die door variaties in de positie van de patroonoppervlakte wordt veroorzaakt van het masker langs de optische as verbeterd door van de relatieve positie van het masker en/of het substraat in de aftastenrichting te verplaatsen. De correctie van de fout van de beeldomwenteling kan ook door omwenteling van de relatieve posities van het masker en/of het substraat over de optische as worden verwezenlijkt. De variaties in de positie van de patroonoppervlakte van het masker langs de optische as kunnen door interferometers bij de installatie van het masker aan de lithografische projectieapparaten worden bepaald. De variaties kunnen worden in kaart gebracht en worden opgeslagen om controle van de lithografische projectieapparaten te verstrekken.
