A method of manufacture of a semiconductor device comprises a step of
providing an adhesive (30) between a semiconductor chip (20) and a
substrate (10), a step of positioning electrodes (22) and leads (12) to
oppose each other, and a step of applying pressure in the direction of
making the gap between the semiconductor chip (20) and substrate (10)
narrower, and on the substrate (10), in a region opposing the surface of
the semiconductor chip (20) and avoiding the leads (12), a film (14) is
formed with lower adhesion with the adhesive (30) than the substrate (10).
Eine Methode der Herstellung eines Halbleiterelements enthält einen Schritt vom Zur Verfügung stellen anhaftendes (30) zwischen einem Halbleiterspan (20) und ein Substrat (10), ein Schritt der Positionierung der Elektroden (22) und der Leitungen (12), um sich entgegenzusetzen, und ein Schritt des Anwendens des Drucks in der Richtung des Bildens des Abstandes zwischen dem Halbleiterspan (20) und dem schmaleren Substrat (10), und auf dem Substrat (10), in einer Region, die der Oberfläche des Halbleiterspanes (20) entgegensetzt und die Leitungen (12) vermeidet, wird ein Film (14) mit niedrigerer Adhäsion mit dem anhaftenden (30) als das Substrat (10) gebildet.
