A semiconductor substrate made of P.sup.- type or P.sup.-- type silicon
having a thickness of approximately 700 .mu.m and a resistivity of 10
.OMEGA..multidot.cm to 1000 .OMEGA..multidot.cm is provided, a BOX layer
with a thickness of 0.2 .mu.m to 10 .mu.m is provided on the semiconductor
substrate and a p.sup.- type SOI layer is provided on this BOX layer. A
first insulating film, which makes contact with the BOX layer, is locally
buried in this p.sup.- type SOI layer and a CMOS is formed in a region of
the p.sup.- type SOI layer wherein the above-described first insulating
film is not provided. A second insulating film is provided above the first
insulating film and over the CMOS, so as to cover the CMOS, and an
inductor is provided on the region of this second insulating film
corresponding to the first insulating film.
Un substrato del semiconductor hecho de P.sup. - tipo o P.sup. - - mecanografíe el silicio que tiene un grueso del mu.m aproximadamente 700 y una resistencia del OMEGA..multidot.cm 10 al OMEGA..multidot.cm 1000 se proporciona, una capa de la CAJA con un grueso de 0.2 mu.m al mu.m 10 se proporciona en el substrato del semiconductor y un p.sup. - el tipo capa de SOI se proporciona en esta capa de la CAJA. Una primera película aislador, que hace el contacto con la capa de la CAJA, localmente se entierra en este p.sup. - mecanografíe la capa de SOI y un Cmos se forma en una región del p.sup. - mecanografía capa de SOI en donde la primera película aislador descrita antes no se proporciona. Una segunda película aislador se proporciona sobre la primera película aislador y excedente el Cmos, para cubrir el Cmos, y un inductor esté proporcionado en la región de esta segunda película aislador que corresponde a la primera película aislador.
