Standard cell layout efficiency is improved by utilization of a MOS
interconnect that minimizes features and geometries requiring compliance
with space intensive design rules. Source diffusion regions of MOS
structures have a substantially constant width extension extending toward
a substrate pick-up diffusion and shares a common silicidation therewith
to effect an ohmic contact thereto.
L'efficacité standard de disposition de cellules est améliorée par utilisation d'une interconnexion de MOS qui réduit au minimum des dispositifs et des geometries exigeant la conformité aux règles intensives de conception de l'espace. Les régions de diffusion de source des structures de MOS ont une prolongation essentiellement constante de largeur se prolonger vers une diffusion et des parts de ramassage de substrat un silicidation commun en conséquence pour effectuer un contact ohmique là-dessus.
