Trench MIS device with active trench corners and thick bottom oxide

   
   

Trench MOSFETs including active corner regions and a thick insulative layer at the bottom of the trench are disclosed, along with methods of fabricating such MOSFETs. In an exemplary embodiment, the trench MOSFET includes a thick insulative layer centrally located at the bottom of the trench. A thin gate insulative layer lines the sidewall and a peripheral portion of the bottom surface of the trench. A gate fills the trench, adjacent to the gate insulative layer. The gate is adjacent to the sides and top of the thick insulative layer. The thick insulative layer separates the gate from the drain conductive region at the bottom of the trench yielding a reduced gate-to-drain capacitance making such MOSFETs suitable for high frequency applications.

Η τάφρος MOSFETs συμπεριλαμβανομένων των ενεργών περιοχών γωνιών και ένα παχύ insulative στρώμα στο κατώτατο σημείο της τάφρου αποκαλύπτονται, μαζί με τις μεθόδους τέτοιο MOSFETs. Σε μια υποδειγματική ενσωμάτωση, mosfet τάφρων περιλαμβάνει ένα παχύ insulative στρώμα που βρίσκεται κεντρικά στο κατώτατο σημείο της τάφρου. Γραμμές ενός λεπτές πυλών insulative στρώματος sidewall και μια απομακρυσμένη μερίδα της κατώτατης επιφάνειας της τάφρου. Μια πύλη γεμίζει την τάφρο, δίπλα στο insulative στρώμα πυλών. Η πύλη είναι δίπλα στις πλευρές και την κορυφή του παχιού insulative στρώματος. Το παχύ insulative στρώμα χωρίζει την πύλη από την αγώγιμη περιοχή αγωγών στο κατώτατο σημείο της τάφρου που παράγει μια μειωμένη ικανότητα πύλη-$$$-ΑΓΩΓΏΝ που καθιστά τέτοιο MOSFETs κατάλληλο για τις εφαρμογές υψηλής συχνότητας.

 
Web www.patentalert.com

< Photovoltaic element

< Semiconductor circuit structure and method for fabricating the semiconductor circuit structure

> Semiconductor device

> Efficient source diffusion interconnect, MOS transistor and standard cell layout utilizing same

~ 00159