Method and apparatus for providing film stress measurements. The invention
provides a method for calculating film stress based on an inverse finite
element analysis of a displaced substrate such as a semiconductor wafer.
The surface displacement of the substrate is measured, and structural
compliance based on an inverse finite element model of the substrate is
determined. A stress field is ultimately calculated based on the
structural compliance and a stress-load. The stress measurement is output
based on values in the stress field. The invention can be implemented in
software running on a computer system interfaced to a measurement system
such as a stress and flatness gauge.
El método y los aparatos para proporcionar la película tensionan medidas. La invención proporciona un método para calcular la tensión de la película basada en un análisis finito inverso del elemento de un substrato desplazado tal como una oblea de semiconductor. La dislocación superficial del substrato se mide, y la conformidad estructural basada en un modelo finito inverso del elemento del substrato se determina. Un campo de tensión en última instancia se calcula basado en la conformidad estructural y una tensionar-carga. Se hace salir la medida de la tensión basó en valores en el campo de tensión. La invención se puede poner en ejecucio'n en el software que funciona en un sistema informático interconectado a un sistema de la medida tal como una galga de la tensión y de la llanura.
