Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus

   
   

There is disclosed a film forming method comprising continuously discharging a solution adjusted so as to spread over a substrate by a given amount to the substrate through a discharge port disposed in a nozzle, moving the nozzle and substrate with respect to each other, and holding the supplied solution onto the substrate to form a liquid film, wherein a distance h between the discharge port of the nozzle and the substrate is set to be not less than 2 mm and to be in a range less than 5.times.10.sup.-5 q.gamma. (mm) given with respect to a surface tension .gamma. (N/m) of the solution, discharge speed q (m/sec) of the solution continuously discharged through the discharge port, and a constant of 5.times.10.sup.-5 (m.multidot.sec/N).

Er onthuld een film wordt vormt methode bestaand onophoudelijk uit het lossen van een oplossing die om over een substraat door een bepaald bedrag wordt aan het substraat door een lossingshaven uit te spreiden die in een pijp wordt geschikt aangepast die, die de pijp en het substraat met betrekking tot elkaar beweegt, en de geleverde oplossing op het substraat houdt om een vloeibare film te vormen, waarin een afstand h tussen de lossingshaven van de pijp en het substraat om niet minder dan 2 mm wordt geplaatst te zijn en te zijn in een waaier minder dan 5.times.10.sup.-5 q.gamma. (mm) die met betrekking tot een oppervlaktespanning wordt gegeven gamma. (N/m) van de oplossing, lossingssnelheid q (m/seconde) van de oplossing loste onophoudelijk door de lossingshaven, en een constante van 5.times.10.sup.-5 (m.multidot.sec/N).

 
Web www.patentalert.com

< Wire bonding process for copper-metallized integrated circuits

< Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device

> Wiring circuit board having bumps and method of producing same

> Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system

~ 00136