A semiconductor device comprising a semiconductor layer having at least
first and second impurity regions and a channel formation region formed on
an insulating surface; a gate insulating film adjacent to the
semiconductor layer; a gate electrode adjacent to the gate insulating
film; a first insulating film formed over the insulating surface, the
semiconductor layer, the gate insulating film and the gate electrode; a
second insulating film comprising an organic resin formed on first
insulating film; an electrode formed over the second insulating film and
connected to the one of the first and second impurity regions; and a pixel
electrode formed over the second insulating film.
Un dispositivo de semiconductor que abarca una capa del semiconductor que tiene por lo menos primero y segundas regiones de la impureza y una región de la formación del canal formada en una superficie aislador; una película aislador de la puerta adyacente a la capa del semiconductor; un electrodo de puerta adyacente a la película aislador de la puerta; una primera película aislador formó el excedente la superficie aislador, la capa del semiconductor, la película aislador de la puerta y el electrodo de puerta; una segunda película aislador que abarcaba una resina orgánica formó en la primera película aislador; un electrodo formó el excedente la segunda película aislador y conectó con la que esta' de las primeras y segundas regiones de la impureza; y un electrodo del pixel formó el excedente la segunda película aislador.
