A memory device having a cross point array of memory cells includes a
temperature sensor and a reference memory cell. The temperature sensor
senses the temperature of the memory device and data from the temperature
sensor and the reference memory cell are used to update write currents
used to program the array of memory cells. A method of calibrating the
memory device involves detecting a temperature of the memory device,
determining whether the temperature of the memory device has changed by a
threshold value, and updating write current values if the temperature of
the memory device changes by the threshold value. The write current values
can be updated by data from the reference memory cell, or from write
current values stored in a lookup table.
Приспособление памяти имея блок перекрестного пункта ячейкы памяти вклюает датчик температуры и ячейкы памяти справки. Датчик температуры воспринимает температуру приспособления памяти и данные от датчика температуры и ячейкы памяти справки использованы для уточнения пишут течения используемые для того чтобы запрограммировать блок ячейкы памяти. Метод калибрировать приспособление памяти включает обнаружить температуру приспособления памяти, обусловливая изменяла ли температура приспособления памяти порогового значение, и уточняющ напишите текущие стоимости если температура приспособления памяти изменяет порогового значение. Текущие стоимости писания могут быть уточнены данными от ячейкы памяти справки, или от напишите текущие стоимости, котор хранят в таблице взгляда вверх.
