Method and article for concentrating fields at sense layers

   
   

A write line structure for a magnetic memory cell includes a write conductor having a front surface facing the memory cell, a back surface and two sides surfaces. A cladding layer is disposed adjacent a portion of the front surface of the write conductor, with the cladding layer terminating at spaced first and second poles adjacent the front surface of the write conductor. A data storage layer is operatively positioned adjacent the cladding layer. The distance between the poles is less than the width of the write conductor. The width of the data storage layer may be greater than or less than the distance between the poles.

Una linea struttura di scrittura per una cellula di memoria magnetica include un conduttore di scrittura che ha una superficie della parte anteriore affrontare la cellula di memoria, una superficie posteriore e due superfici dei lati. Uno strato del rivestimento è adiacente disposto di una parte della superficie anteriore del conduttore di scrittura, con lo strato del rivestimento che terminano allo spaziato a in primo luogo ed i secondi pali adiacenti la superficie anteriore del conduttore di scrittura. Uno strato di immagazzinaggio di dati è adiacente attivamente posizionato lo strato del rivestimento. La distanza fra i pali è di meno che la larghezza del conduttore di scrittura. La larghezza dello strato di immagazzinaggio di dati può essere più grande o di meno che della distanza fra i pali.

 
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< Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

< Apparatus and method for generating a write current for a magnetic memory cell

> Selection of memory cells in data storage devices

> Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

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