A method for manufacturing a vertical power component on a substrate formed
of a lightly-doped silicon wafer, including the steps of boring on the
lower surface side of the substrate a succession of holes perpendicular to
this surface; diffusing a dopant from the holes, of a second conductivity
type opposite to that of the substrate; and boring similar holes on the
upper surface side of the substrate to define an isolating wall and
diffuse from these holes a dopant of the second conductivity type with a
high doping level, the holes corresponding to the isolating wall being
sufficiently close for the diffused areas to join laterally and
vertically.
Un método para fabricar un componente vertical de la energía en un substrato formó de una oblea de silicio ligero-dopada, incluyendo los pasos de agujerear en el lado de una superficie más baja del substrato una sucesión de los agujeros perpendiculares a esta superficie; difundiendo un dopant de los agujeros, de un segundo tipo de la conductividad opuesto a el del substrato; y los agujeros similares que agujerean en el lado de la superficie superior del substrato para definir una pared que aísla y para difundir de estos agujeros un dopant del segundo tipo de la conductividad con un alto nivel de doping, los agujeros que corresponden a la pared que aísla que es se cierran suficientemente para que las áreas difundidas ensamblen lateralmente y verticalmente.
