An Si crystal film functioning as a channel region is formed on an SiGe
crystal film substrate. Furthermore, an SiGe crystal film functioning as a
channel region is formed on the Si crystal film. In addition, on the
opposite sides of the SiGe crystal film and the Si crystal film, an Si
crystal film functioning as a source/drain region is formed. Moreover, a
gate electrode is formed on the SiGe crystal film with a gate insulator
film interposed. In accordance with the configuration described above,
SiGe crystal film prevents the native oxidation of the Si crystal film. As
a result, it is possible to obtain a semiconductor device that solves a
problem caused by decrease in a conductivity in the Si crystal film
resulting from the native oxidation of a surface of the Si crystal film.
Μια ταινία κρυστάλλου Si που λειτουργεί ως περιοχή καναλιών διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα ταινιών κρυστάλλου SiGe. Επιπλέον, μια ταινία κρυστάλλου SiGe που λειτουργεί ως περιοχή καναλιών διαμορφώνεται στην ταινία κρυστάλλου Si. Επιπλέον, στις αντίθετες πλευρές της ταινίας κρυστάλλου SiGe και της ταινίας κρυστάλλου Si, μια ταινία κρυστάλλου Si που λειτουργεί ως πηγή/η περιοχή αγωγών διαμορφώνεται. Επιπλέον, ένα ηλεκτρόδιο πυλών διαμορφώνεται στην ταινία κρυστάλλου SiGe με μια ταινία μονωτών πυλών που παρεμβάλλεται. Σύμφωνα με τη διαμόρφωση που περιγράφεται ανωτέρω, η ταινία κρυστάλλου SiGe αποτρέπει την εγγενή οξείδωση της ταινίας κρυστάλλου Si. Κατά συνέπεια, είναι δυνατό να ληφθεί μια συσκευή ημιαγωγών που λύνει ένα πρόβλημα που προκαλείται από τη μείωση σε μια αγωγιμότητα στην ταινία κρυστάλλου Si ως αποτέλεσμα της εγγενούς οξείδωσης μιας επιφάνειας της ταινίας κρυστάλλου Si.
