A hetero-junction bipolar transistor includes a collector layer, a base
layer and an emitter layer, an emitter electrode containing Au being
provided for the emitter layer, and an Au-diffusion barrier layer of InP
or InGaP interposed between the emitter electrode and the base layer.
Ein zweipoliger Transistor des Hetero-junction schließt eine Kollektorschicht, eine Basisschicht und eine Emitterschicht, eine Emitterelektrode ein, die das Au enthält, das für die Emitterschicht und eine Au-Diffusion (Zerstäubung) Grenzschicht von InP oder von InGaP vermittelt werden zwischen der Emitterelektrode und der Basisschicht bereitgestellt wird.
