A monolithic photodetector including a photodiode, a precharge MOS
transistor, a control MOS transistor, and a read MOS transistor, the
photodiode and the precharge transistor being formed in a same substrate
of a first conductivity type, the photodiode including a first region of
the second conductivity type formed under a second region of the first
conductivity type more heavily doped than the substrate, and under a third
region of the second conductivity type, more heavily doped than the first
region, the second and third regions being separate, the first region
forming the source region of the second conductivity type of the precharge
MOS transistor, the second and third regions being connected,
respectively, to a fixed voltage and to the gate of the control
transistor.
Un détecteur photoélectrique monolithique comprenant une photodiode, un transistor de MOS de pré-charge, un transistor de MOS de commande, et un transistor indiqué de MOS, la photodiode et le transistor de pré-charge étant formés dans un même substrat d'un premier type de conductivité, la photodiode comprenant une première région du deuxième type de conductivité a formé sous une deuxième région du premier type de conductivité plus fortement enduit que le substrat, et sous une troisième région du deuxième type de conductivité, plus fortement enduite que la première région, les deuxièmes et troisième régions étant séparées, la première région formant la région de source du deuxième type de conductivité du transistor de MOS de pré-charge, les deuxièmes et troisième régions étant relié, respectivement, à une tension fixe et à la porte du transistor de commande.
