A magnetic memory is disclosed. In one embodiment, the magnetic memory
includes a magnetic memory cell, a conductor which crosses the magnetic
memory cell and a circuit coupled to the conductor configured to apply a
modified magnetic field to the magnetic memory cell in response to
temperature variations in the magnetic memory cell.
Een magnetisch geheugen wordt onthuld. In één belichaming, omvat het magnetische geheugen een magnetische geheugencel, een leider die de magnetische geheugencel kruist en een kring die aan de leider wordt die wordt gevormd gekoppeld om een gewijzigd magnetisch gebied op de magnetische geheugencel in antwoord op temperatuurvariaties in de magnetische geheugencel toe te passen.
