Method and system for making TMR junctions

   
   

A method and system for providing a tunneling magnetoresistive sensor is disclosed. The method and system include providing a pinned layer, a free layer and an insulating layer between the pinned and free layers. The pinned and free layers are ferromagnetic. The method and system also include providing a hard mask layer to be used in defining the sensor at the top of the tunneling magnetoresistive sensor. The method and system also include using the hard mask layer to define the tunneling magnetoresistive sensor. Thus, the pinned layer, the free layer and the insulating layer are capable of having a minimum dimension of less than 0.2 .mu.m.

Un metodo e un sistema per fornire un sensore magnetoresistente di traforo è rilevato. Il metodo ed il sistema includono fornire uno strato appuntato, uno strato libero e uno strato isolante fra appuntato e liberano gli strati. Appuntato e libera gli strati è ferromagnetico. Il metodo ed il sistema inoltre includono fornire uno strato duro della mascherina da usare nella definizione del sensore alla parte superiore del sensore magnetoresistente di traforo. Il metodo ed il sistema inoltre includono usando lo strato duro della mascherina per definire il sensore magnetoresistente di traforo. Quindi, lo strato appuntato, lo strato libero e lo strato isolante sono capaci di avere una dimensione minima di più meno di 0.2 mu.m.

 
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