Methods and computer program products are provided for analyzing a
crystalline structure, such as a wafer or an epitaxial layer in more
detail, including the portion of the crystalline structure proximate the
edge. The methods and computer program products of one aspect determine
the average thickness and the normalized profile of a crystalline
structure with enhanced detail. Additionally, the method and computer
program product of another aspect represent the profile proximate the edge
of the crystalline structure with a pair of lines that are selected to
permit the profile of the crystalline structure proximate the edge of the
crystalline structure to be characterized in more detail. Further, the
method of yet another aspect permits the average edge profile for a
plurality of crystalline structure to be defined.
Οι μέθοδοι και τα προϊόντα προγράμματος υπολογιστών παρέχονται για να αναλύσουν μια κρυστάλλινη δομή, όπως μια γκοφρέτα ή ένα κρυσταλλικό στρώμα λεπτομερέστερα, συμπεριλαμβανομένης της μερίδας της κρυστάλλινης δομής εγγύτατης η άκρη. Οι μέθοδοι και τα προϊόντα προγράμματος υπολογιστών μιας πτυχής καθορίζουν το μέσο πάχος και το ομαλοποιημένο σχεδιάγραμμα μιας κρυστάλλινης δομής με την ενισχυμένη λεπτομέρεια. Επιπλέον, η μέθοδος και το προϊόν προγράμματος υπολογιστών μιας άλλης πτυχής αντιπροσωπεύουν το σχεδιάγραμμα εγγύτατο η άκρη της κρυστάλλινης δομής με ένα ζευγάρι των γραμμών που επιλέγονται για να επιτρέψουν στο σχεδιάγραμμα της κρυστάλλινης δομής εγγύτατης την άκρη της κρυστάλλινης δομής για να χαρακτηριστούν λεπτομερέστερα. Περαιτέρω, η μέθοδος ακόμα μιας πτυχής επιτρέπει στο μέσο σχεδιάγραμμα ακρών για μια πολλαπλότητα της κρυστάλλινης δομής για να καθοριστεί.
