Method and apparatus for MOCVD growth of compounds including GaAsN alloys using an ammonia precursor with a catalyst

   
   

A method of using ammonia to form a GaAs alloy with nitrogen atoms is described. The method includes the operation of introducing ammonia with an agent to assist in the breakdown of the ammonia into a reaction chamber with the GaAs film. Agents that are described include radiation as well as compounds that include aluminum.

Μια μέθοδος την αμμωνία για να διαμορφώσει ένα gaAs κράμα με τα άτομα αζώτου περιγράφεται. Η μέθοδος περιλαμβάνει τη λειτουργία της εισαγωγής της αμμωνίας με έναν πράκτορα για να βοηθήσει στη διακοπή της αμμωνίας σε μια αίθουσα αντίδρασης με τη gaAs ταινία. Οι πράκτορες που περιγράφονται περιλαμβάνουν την ακτινοβολία καθώς επίσης και τις ενώσεις που περιλαμβάνουν το αργίλιο.

 
Web www.patentalert.com

< Diamondoid-containing materials in microelectronics

< Composite material comprising activated carbon and expanded graphite

> Method for treating exhaust gas containing fluorine-containing compound

> Thermal dissociation of allophanates

~ 00116