A capacitor structure is formed in a window in a dielectric layer of an
integrated circuit. The lower electrode (or plate) is disposed on a
portion side surface of the cavity but not on the top surface of the
dielectric. A layer of dielectric material is disposed on the lower
electrode and upon the top surface of the integrated circuit dielectric.
Finally, an upper electrode (or plate) is disposed on the layer of
dielectric material. Because the lower electrode is removed from a portion
of the cavity sidewall and top surface of the dielectric shorting problems
which could result during planarization are avoided. A technique for
fabricating an integrated circuit (IC) for use in multi-level structures
is also disclosed. The technique is readily incorporated into standard
multi-level processing techniques. After a window is opened in the
particular dielectric layer of the IC, a conductive layer is deposited in
the window and forms the lower plate of a capacitor. The lower plate is
then etched so that it is removed from a portion of the sidewalls and from
the top surface of the dielectric layer. After the lower electrode is
etched, a dielectric material is disposed in the cavity and on the top
surface of the dielectric layer. A second layer of conductor is disposed
on top of the dielectric material layer, thus completing the capacitor
structure.
Eine Kondensatorstruktur wird in einem Fenster in einer dielektrischen Schicht einer integrierten Schaltung gebildet. Die unterere Elektrode (oder die Platte) wird auf einer Teilseite Oberfläche des Raums aber nicht auf der Oberfläche des Nichtleiters abgeschaffen. Eine Schicht dielektrisches Material wird auf der untereren Elektrode und nach der Oberfläche des Schaltungnichtleiters abgeschaffen. Schließlich wird eine obere Elektrode (oder Platte) auf der Schicht des dielektrischen Materials abgeschaffen. Weil die unterere Elektrode von einem Teil der Raumseitenwand entfernt wird und Oberfläche des Nichtleiters, der Probleme kurzschließt, die während des planarization resultieren konnten, vermieden werden. Eine Technik für das Fabrizieren einer integrierten Schaltung (IS) für Gebrauch in den Mehrebenenstrukturen wird auch freigegeben. Die Technik wird bereitwillig in Standardmehrebenenverfahrenstechniken enthalten. Nachdem ein Fenster in der bestimmten dielektrischen Schicht der IS geöffnet ist, wird eine leitende Schicht im Fenster niedergelegt und die unterere Platte eines Kondensators bildet. Die unterere Platte wird dann geätzt, damit sie von einem Teil der Seitenwände und von der Oberfläche der dielektrischen Schicht entfernt wird. Nachdem die unterere Elektrode geätzt ist, wird ein dielektrisches Material im Raum und auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht abgeschaffen. Eine zweite Schicht des Leiters wird auf die dielektrische materielle Schicht abgeschaffen und so führt die Kondensatorstruktur durch.
