Thin film magnetic memory device for selectively supplying a desired data write current to a plurality of memory blocks

   
   

Each of N memory blocks of first to N.sup.th stages includes a plurality of first and second driver units. The plurality of first and second driver units are respectively provided corresponding to one end and another end of a plurality of digit lines included in each memory block. Each of the first driver units in memory blocks before a selected memory block connects a corresponding digit line to a first voltage according to a voltage level on a digit line of the same row in a memory block of a previous stage. A second driver unit in the selected memory block connects a corresponding digit line to a second voltage in order to supply a data write current. In other words, digit lines in the memory blocks before the selected memory block are not used as current lines but as signal lines.

Ciascuno dei blocchetti di memoria di N di in primo luogo alle fasi di N.sup.th include una pluralità di in primo luogo e le seconde unità del driver. La pluralità di in primo luogo e le seconde unità del driver sono rispettivamente corrispondere fornito ad un'estremità e un'altra conclusione di una pluralità di linee della cifra incluse in ogni blocchetto di memoria. Ciascuna delle prime unità del driver nei blocchetti di memoria prima che un blocchetto selezionato di memoria colleghi una linea corrispondente della cifra ad una prima tensione secondo un livello di tensione su una linea della cifra della stessa fila in un blocchetto di memoria di una fase precedente. Una seconda unità del driver nel blocchetto selezionato di memoria collega una linea corrispondente della cifra ad una seconda tensione per assicurare i dati scrive la corrente. Cioè linee della cifra nei blocchetti di memoria prima che il blocchetto selezionato di memoria non sia usato come linee correnti ma come segnali.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetoelectronics information device having a compound magnetic free layer

< Triple sample sensing for magnetic random access memory (MRAM) with series diodes

> Magnetic memory equipped with a read control circuit and an output control circuit

> Nonvolatile solid-state memory and method of driving the same

~ 00115