A magnetoelectronics information device is provided that includes two
multi-layer structures and a spacer layer interposed between the two
multi-layer structures. Each of the multi-layer structures has two
magnetic sublayers and a spacer layer interposed between the two magnetic
sublayers. The spacer layer interposed between the two magnetic sublayers
provides an antiferromagnetic exchange coupling that is quantified by a
saturation field. The spacer layer interposed between the two multi-layer
structures provides a second antiferromagnetic exchange coupling is
quantified by another saturation field that is less than the first
saturation field.
Приспособление данным по magnetoelectronics provided that вклюает 2 разнослоистых структуры и слой прокладки interposed между 2 разнослоистыми структурами. Каждая из разнослоистых структур имеет 2 магнитных подслоя и слой прокладки interposed между 2 магнитными подслоями. Слой прокладки interposed между 2 магнитными подслоями обеспечивает antiferromagnetic соединение обменом квантифицировано полем сатурации. Слой прокладки interposed между 2 разнослоистыми структурами обеспечивает второе antiferromagnetic соединение обменом квантифицирован другим полем сатурации чем первое поле сатурации.
