High-frequency diode oscillator and millimeter-wave transmitting/receiving apparatus

   
   

An object of the present invention is to facilitate positioning of a metal member for mounting a high-frequency diode and of a dielectric strip, thereby remarkably improving control of oscillation characteristics and workability in production. The invention provides a Gunn diode oscillator comprising, between parallel plate conductors disposed at an interval equal to or less than one half of wavelength .lambda. of high-frequency signals, a metal member provided with a Gunn diode device which oscillates high-frequency signals, a choke-type bias supply strip which is made by alternately forming wide strips and narrow strips and which supplies a bias voltage to the Gunn diode device, and a strip conductor which linearly connects the choke-type bias supply strip and the Gunn diode device, and further comprising, in the vicinity of the Gunn diode device, a dielectric strip which is disposed in the vicinity of the Gunn diode device and which receives and propagates high-frequency signals, wherein the cycles of the wide strips and narrow strips of the choke-type bias supply strip are set to approximately .lambda./4, respectively, and the length of the strip conductor is set to approximately {(3/4)+n}.lambda. (n is an integer of 0 or more).

Предмет присытствыющего вымысла должен облегчить располагать члена металла для устанавливать высокочастотный диод и диэлектрической прокладки, таким образом замечательн улучшающ управление характеристик и workability колебания в продукции. Вымысел обеспечивает генератор диода Gunn состоя из, между параллельными проводниками плиты размещанными на интервале равном к или более менее чем одной половиной lambda длины волны. высокочастотных сигналов, член металла обеспечил с приспособлением диода Gunn которое осциллирует высокочастотные сигналы, прокладка поставкы смещения ограничивать-tipa которая сделаны друг формировать широкие прокладки и прокладки узкой части и которая поставляет косое напряжение тока к приспособлению диода Gunn, и проводником прокладки который линейно соединяет прокладку поставкы смещения ограничивать-tipa и приспособление диода Gunn, и более дальнеишим состоять из, в близости приспособления диода Gunn, диэлектрической прокладки которая размещаны в близости приспособления диода Gunn и которая получает и распространяет высокочастотные сигналы, при котором циклы широких прокладок и узких прокладок прокладки поставкы смещения ограничивать-tipa установлены к приблизительно lambda./4, соответственно, и длина проводника прокладки устанавливает к приблизительно {(3/4)+n}.lambda. (н интежером 0 или больше).

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor wafer, method for producing the same, and wafer chuck

< Quadrature ring oscillator

> Technique for addressing and tracking in a delivery system

> Asynchronous input data path technique for increasing speed and reducing latency in integrated circuit devices incorporating dynamic random access memory (DRAM) arrays and embedded DRAM

~ 00114