A method of forming minimally spaced MRAM structures is disclosed. A
photolithography technique is employed to define masking patterns, on the
sidewalls of which spacers are subsequently formed to reduce the distance
between any of the two adjacent masking patterns. A filler material is
next used to fill in the space around the masking patterns and to form
filler plugs. The masking patterns and the spacers are removed using the
filler plugs as a hard mask. Digit and word lines of MRAM structures are
subsequently formed.
Um método de dar forma a estruturas mìnima espaçadas de MRAM é divulgado. Uma técnica do photolithography é empregada para definir testes padrões mascarando, nos sidewalls de que os espaçadores são dados forma subseqüentemente para reduzir a distância entre alguns dos dois testes padrões mascarando adjacentes. Um material de enchimento é usado em seguida preencher o espaço em torno dos testes padrões mascarando e dar forma a plugues de enchimento. Os testes padrões mascarando e os espaçadores são removidos usando os plugues de enchimento como uma máscara dura. As linhas do dígito e da palavra de estruturas de MRAM são dadas forma subseqüentemente.
