Noise resistant small signal sensing circuit for a memory device

   
   

Apparatus and method for data sensing circuitry that uses averaging to sense small differences in signal levels representing data states. The apparatus periodically switches the coupling of input terminals and output terminals of an integrator circuit from a first configuration to a second configuration, where the second configuration changes the polarity of the integrator circuit from the first configuration. The output signals of the integrator circuit are periodically compared, and based on the comparison, output signals having a voltage representative of a value are generated. The values of the output signals are then averaged over time to determine the data state.

Apparat und Methode für die Daten, die Schaltkreis abfragen, der die Mittelwertbildung verwendet, zum der kleinen Unterschiede bezüglich des Signals abzufragen, ebnet das Darstellen der Datenzustände. Der Apparat schaltet regelmäßig die Koppelung der Eingang Anschlüß und Ausgangsanschlüsse eines Integrators von einer ersten Konfiguration bis einer zweiten Konfiguration, wohin die zweiten Konfiguration Änderungen die Polarität des Integratorstromkreises von der ersten Konfiguration umkreisen. Die Ausgangssignale des Integratorstromkreises werden regelmäßig verglichen, und gegründet auf dem Vergleich, werden die Ausgangssignale, die einen Spannung Repräsentanten eines Wertes haben, erzeugt. Werte der Ausgangssignale werden dann Überzeit, den Datenzustand festzustellen berechnet.

 
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< Memory devices, sense amplifiers, and methods of operation thereof using voltage-dependent capacitor pre-amplification

< Noise resistant small signal sensing circuit for a memory device

> Method for forming minimally spaced MRAM structures

> Device that makes it possible to selectively use nonvolatile memory as RAM or ROM

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