This invention pertains to a method of fabricating a trenchless MRAM
structure and to the resultant MRAM structure. The MRAM structure of the
invention has a pinned layer formed within protective sidewalls formed
over a substrate. The protective sidewalls facilitate formation of the
MRAM structure by a self-aligning process.
Esta invención pertenece a un método de fabricar una estructura trenchless de MRAM y a la estructura resultante de MRAM. La estructura de MRAM de la invención tiene una capa fijada formada dentro de los flancos protectores formados sobre un substrato. Los flancos protectores facilitan la formación de la estructura de MRAM por un proceso autoalineador.
