Magnetic element utilizing spin transfer and an MRAM device using the magnetic element

   
   

A method and system for providing a magnetic element capable of being written using spin-transfer effect while generating a high output signal and a magnetic memory using the magnetic element are disclosed. The magnetic element includes a first ferromagnetic pinned layer, a nonmagnetic spacer layer, a ferromagnetic free layer, an insulating barrier layer and a second ferromagnetic pinned layer. The pinned layer has a magnetization pinned in a first direction. The nonmagnetic spacer layer is conductive and is between the first pinned layer and the free layer. The barrier layer resides between the free layer and the second pinned layer and is an insulator having a thickness allowing electron tunneling through the barrier layer. The second pinned layer has a magnetization pinned in a second direction. The magnetic element is configured to allow the magnetization of the free layer to change direction due to spin transfer when a write current is passed through the magnetic element.

Een methode en een systeem om een magnetisch element te verschaffen geschikt om worden geschreven worden gebruikend rotatie-overdracht effect terwijl het produceren van een hoog outputsignaal en een magnetisch geheugen die het magnetische element gebruiken onthuld. Het magnetische element omvat een eerste ferromagnetische gespelde laag, een niet-magnetische verbindingsstuklaag, een ferromagnetische vrije laag, een het isoleren barrièrelaag en een tweede ferromagnetische gespelde laag. De gespelde laag heeft een magnetisering die in een eerste richting wordt gespeld. De niet-magnetische verbindingsstuklaag is geleidend en is tussen de eerste gespelde laag en de vrije laag. De barrièrelaag verblijft tussen de vrije laag en de tweede gespelde laag en is een isolatie die een dikte heeft die elektron toestaat dat door de barrièrelaag een tunnel graaft. De tweede gespelde laag heeft een magnetisering die in een tweede richting wordt gespeld. Het magnetische element wordt gevormd om de magnetisering van de vrije laag toe te staan om richting te veranderen toe te schrijven aan rotatieoverdracht wanneer schrijf de stroom door het magnetische element wordt overgegaan.

 
Web www.patentalert.com

< Method of forming self-aligned, trenchless mangetoresitive random-access memory (MRAM) structure with sidewall containment of MRAM structure

< Magnetoresistive effect element and magnetic memory device

> Hybrid semiconductor--magnetic spin based memory

> Temperature compensated RRAM circuit

~ 00106