A circuit is provided herein, which is adapted to supply different current
magnitudes along opposing directions of a conductive line. Such a circuit
may be particularly beneficial in compensating for the effects of
unintentional magnetic coupling within MRAM devices. In addition, a method
is provided herein for configuring a device having a magnetic memory
array, which receives a first current magnitude along one direction and a
substantially different current magnitude along an opposite direction of
the magnetic memory array. Furthermore, a method is provided herein which
assigns tunable current magnitudes for write operations along conductive
lines of a memory circuit. Such tunable writing currents advantageously
increase the write selectivity of the memory circuit. More specifically,
the tunable writing currents compensate for ferromagnetic and
antiferromagnetic coupling within magnetic memory cells caused by uneven
surface topology and non-zero total magnetic moments, respectively.
Um circuito é fornecido nisto, que seja adaptado para fornecer valores atuais diferentes ao longo dos sentidos se opondo de uma linha condutora. Tal circuito pode ser particularmente benéfico na compesação para os efeitos do acoplamento magnético involuntário dentro dos dispositivos de MRAM. Além, um método é fornecido nisto configurarando um dispositivo que tem uma disposição magnética da memória, que receba um primeiro valor atual ao longo de um sentido e um valor atual substancialmente diferente ao longo de um sentido oposto da disposição magnética da memória. Além disso, um método é fornecido nisto que atribua valores atuais ajustáveis para escrevam operações ao longo das linhas condutoras de um circuito de memória. Tais correntes de escrita ajustáveis aumentam vantajosamente o selectivity da escrita do circuito de memória. Mais especificamente, as correntes de escrita ajustáveis compensam para o acoplamento ferromagnetic e antiferromagnetic dentro das pilhas de memória magnéticas causadas pela topologia de superfície desigual e por momentos magnéticos totais non-zero, respectivamente.
