The present invention provides a memory cell array structure comprising: a plurality of cell array blocks aligned in matrix in both the row and column directions, and each of the cell array blocks including a plurality of magnetic memory cells; a plurality of main word lines being connected through sub-word switching devices to the same number of sub-word lines as a first number of the cell array blocks aligned in the row direction, and each of the sub-word lines being connected to at least one of the magnetic memory cells; and a plurality of main bit lines being connected through sub-bit switching devices to the same number of sub-bit lines as a second number of the cell array blocks aligned in the column direction, and each of the sub-bit lines being connected to at least one of the magnetic memory cells.

Присытствыющий вымысел обеспечивает структуру блока ячейкы памяти состоя из: множественность блоков блока клетки выровняла в матрице как в в рядке так и направлениях колонки, и каждом из блоков блока клетки включая множественность магнитные ячейкы памяти; множественность главным образом линий слова будучи соединянной через аппаратуры коммутационн суб-slova к такому же номеру суб-slova выравнивается по мере того как первый количество блоков блока клетки выровнял в направлении рядка, и каждая из линий суб-slova будучи подключанным до по крайней мере один из магнитные ячейкы памяти; и множественность главным образом линий бита будучи соединянной через аппаратуры коммутационн суб-bita к такому же числу линий суб-bita как второй количество блоков блока клетки выровняла в направлении колонки, и каждой из линий суб-bita будучи подключанной до по крайней мере один из магнитные ячейкы памяти.