Methods for fabricating a ferroelectric memory device are disclosed, in which the cracking of the ferroelectric thin film can be inhibited during a heat treatment in a scribe lane region (for forming an aligning key and an overlay vernier). A first interlayer dielectric film is formed upon a semiconductor substrate on which the transistor has been formed. The first interlayer dielectric film is selectively etched to form a first contact hole and to expose a source/drain. A first conductive film is formed on an entire surface that includes the first contact hole. The first conductive film is selectively etched to form a first conductive pad, the first conductive pad being connected through the first contact hole to the source/drain. A second interlayer dielectric film is formed on an entire surface that includes the first conductive film. The second interlayer dielectric film is selectively etched to form a second contact hole and to expose the first conductive pad so as to form an aligning key region in the scribe lane region. A second conductive film is formed on an entire surface that includes the second contact hole. The second conductive film is selectively etched to form a plug, the plug being connected through the second contact hole to the first conductive pad.

Des méthodes pour fabriquer un bloc de mémoires ferroelectric sont révélées, en lequel fendre de la couche mince ferroelectric peut être empêché pendant un traitement thermique dans une région de ruelle de pointe à tracer (pour former une clef alignante et un vernier de recouvrement). Un film diélectrique de la première couche intercalaire est formé sur un substrat de semi-conducteur sur lequel le transistor a été formé. Le film diélectrique de la première couche intercalaire est sélectivement gravé à l'eau-forte pour former un premier trou de contact et pour exposer un source/drain. Un premier film conducteur est formé sur une surface entière qui inclut le premier trou de contact. Le premier film conducteur est sélectivement gravé à l'eau-forte pour former une première garniture conductrice, la première garniture conductrice étant reliée par le premier trou de contact au source/drain. Un film diélectrique de la deuxième couche intercalaire est formé sur une surface entière qui inclut le premier film conducteur. Le film diélectrique de la deuxième couche intercalaire est sélectivement gravé à l'eau-forte pour former un deuxième trou de contact et pour exposer la première garniture conductrice afin de former une région principale alignante dans la région de ruelle de pointe à tracer. Un deuxième film conducteur est formé sur une surface entière qui inclut le deuxième trou de contact. Le deuxième film conducteur est sélectivement gravé à l'eau-forte pour former une prise, la prise étant reliée par le deuxième trou de contact à la première garniture conductrice.