A double gate MOSFET. The MOSFET includes a bottom gate electrode and a bottom gate dielectric disposed over the bottom gate electrode. A semiconductor body region is disposed over the bottom gate dielectric and the bottom gate electrode, and disposed between a source and a drain. A top gate electrode is disposed over the body. A top gate dielectric separates the top gate electrode and the body, the top gate electrode and the bottom gate electrode defining a channel within the body and interposed between the source and the drain. At least one of the bottom gate dielectric or the top gate dielectric is formed from a high-K material. A method of forming a double gate MOSFET is also disclosed where a semiconductor film used to form a body is recrystallized using a semiconductor substrate as a seed crystal.

Ein doppelter Gatter MOSFET. Der MOSFET schließt eine untere Gate-Elektrode und einen unteren Gatternichtleiter mit ein, die über der unteren Gate-Elektrode abgeschaffen werden. Eine Halbleiterkörperregion wird über dem unteren Gatternichtleiter und der unteren Gate-Elektrode abgeschaffen und abgeschaffen zwischen einer Quelle und einem Abfluß. Eine obere Gate-Elektrode wird über dem Körper abgeschaffen. Ein oberer Gatternichtleiter trennt die obere Gate-Elektrode und der Körper, die obere Gate-Elektrode und die untere Gate-Elektrode, die, eine Führung innerhalb des Körpers und zwischen der Quelle und dem Abfluß vermittelt definieren. Ein mindestens des unteren Gatternichtleiters oder des oberen Gatternichtleiters wird von einem hohen-K Material gebildet. Eine Methode der Formung eines doppelten Gatter MOSFET wird auch freigegeben, wo ein Halbleiterfilm, der benutzt wird, um einen Körper zu bilden, mit einem Halbleitersubstrat als Impfkristall umkristallisiert wird.