A semiconductor laser enabling a higher output without lowering the performance of the laser such as its reliability, that is, a Fabry-Perot type semiconductor laser having, successively grown on a substrate, a first cladding layer of a first conductivity type, an active layer having at least one quantum well layer and at least two barrier layers, and a second cladding layer of a second conductivity type, a pair of facing end faces of said active layer constituting a resonator, wherein an impurity and holes due to the impurity are diffused in at least one region near the end faces of said active layer, and the quantum well layer and the barrier layers constituting said active layer are made mixed-crystals.

Ein Halbleiterlaser, einem höheren Ausgang, ohne die Leistung des Lasers wie seine Zuverlässigkeit d.h. eine Fabry-Perot Art Halbleiterlaser zu senken ermöglichend habend, mehrmals hintereinander gewachsen auf einem Substrat, eine erste Umhüllungschicht einer ersten Leitfähigkeitart, eine aktive Schicht, die mindestens eine Quantenwohle Schicht und mindestens zwei Grenzschichten und eine zweite Umhüllungschicht einer zweiten Leitfähigkeitart, des Paares Einfassungende Gesichter der besagten aktiven Schicht festsetzen einen Resonator, worin eine Verunreinigung und Bohrungen wegen der Verunreinigung werden zerstreut in mindestens eine Region nahe den Ende Gesichtern der besagten aktiven Schicht, und der Quantenbrunnenschicht und der haben Sperre die Schichten, die besagte aktive Schicht festsetzen, werden Mischenkristalle gebildet.