A semiconductor device includes a semiconductor laser chip having a first light-emitting surface which is formed on one end face of the semiconductor laser chip and which outputs a plurality of front beams, and a second light-emitting surface which is formed on an end face opposite to the first light-emitting surface and which outputs a plurality of back beams corresponding to the plurality of front beams. A photodetector is so formed on the semiconductor laser device as to face the second light-emitting surface of the semiconductor laser chip. The photodetector has a plurality of photodetecting portions for independently detecting the plurality of back beams output from the second light-emitting surface. The photodetector is in tight contact with the second light-emitting surface of the semiconductor laser chip.

Un dispositif de semi-conducteur inclut un morceau de laser de semi-conducteur ayant une première surface luminescente qui est formée sur un visage d'extrémité du morceau de laser de semi-conducteur et qui produit une pluralité de faisceaux avant, et une deuxième surface luminescente qui est formée sur un visage d'extrémité vis-à-vis la première surface luminescente et qui produit une pluralité de faisceaux arrière correspondant à la pluralité de faisceaux avant. Un détecteur photoélectrique est ainsi formé sur le dispositif de laser de semi-conducteur quant au visage la deuxième surface luminescente du morceau de laser de semi-conducteur. Le détecteur photoélectrique a une pluralité de parties photodetecting pour détecter indépendamment la pluralité de faisceaux arrière produits de la deuxième surface luminescente. Le détecteur photoélectrique est en contact serré avec la deuxième surface luminescente du morceau de laser de semi-conducteur.