A multi-layer solid structure and method for forming a thermal interface between a microelectronic component package and a heat sink so that the structure has a total thermal resistance of no greater than about 0.03.degree. C.-in.sup.2 /W at a pressure of less than 100 psi. The structure comprises at least two metallic layers each of high thermal conductivity with one of the two layers having phase change properties for establishing low thermal resistance at the interface junction between the microelectronic component package and the heat sink.

Разнослоистые твердые структура и метод для формировать термально поверхность стыка между микроэлектронным компонентным пакетом и раковиной жары так, что структура будет иметь полное термально сопротивление of no greater than о 0.03.degree. C.-in.sup.2 /W на давлении меньш чем 100 psi. Структура состоит из по крайней мере 2 металлических слоев каждого высокой термально проводимости с одним из 2 слоев имея свойства изменения участка для устанавливать низкое термально сопротивление на соединении поверхности стыка между микроэлектронным компонентным пакетом и раковиной жары.