A light-emitting semiconductor chip is produced by applying an epitaxially produced light-emitting semiconductor structure on a transparent substrate. First, a substrate layer is epitaxially grown on a lattice-matched substrate. The substrate layer is bonded, on a side facing away from the lattice-matched substrate, to the transparent substrate through the use of a wafer bonding process. Subsequently, the lattice-matched substrate is removed from the composite formed of the substrate layer and the transparent substrate. The light-emitting semiconductor structure is then epitaxially grown onto the exposed side of the substrate layer. The method is suitable, in particular, for producing light-emitting diode chips with active light-emitting diode structures, for which no optically transparent lattice-matched substrate material is available.

Een lichtgevende halfgeleiderspaander wordt geproduceerd door een epitaxially veroorzaakte lichtgevende halfgeleiderstructuur op een transparant substraat toe te passen. Eerst, wordt een substraatlaag epitaxially gekweekt op een rooster-aangepast substraat. De substraatlaag wordt geplakt, aan een kant die vanaf het rooster-aangepaste substraat, aan het transparante substraat door het gebruik van een wafeltjeproces plakkend onder ogen ziet. Later, wordt het rooster-aangepaste substraat verwijderd uit de samenstelling die van de substraatlaag en het transparante substraat wordt gevormd. De lichtgevende halfgeleiderstructuur wordt dan epitaxially gekweekt op de blootgestelde kant van de substraatlaag. De methode is geschikt, in het bijzonder, voor het produceren van lichtgevende diodespaanders met actieve lichtgevende diodestructuren, waarvoor geen optisch transparant rooster-aangepast substraatmateriaal beschikbaar is.