Semiconductor dot devices include a multiple layer semiconductor structure having a substrate, a back gate electrode layer, a quantum well layer, a tunnel barrier layer between the quantum well layer and the back gate, and a barrier layer above the quantum well layer. Multiple electrode gates are formed on the multi-layer semiconductor with the gates spaced from each other by a region beneath which quantum dots may be defined. Appropriate voltages applied to the electrodes allow the development and appropriate positioning of the quantum dots, allowing a large number of quantum dots be formed in a series with appropriate coupling between the dots.

De de puntapparaten van de halfgeleider omvatten goed een veelvoudige structuur die van de laaghalfgeleider een substraat, een achterlaag van de poortelektrode, een quantumlaag, een laag van de tunnelbarrière tussen de quantum goed laag en de achterpoort heeft, en een barrièrelaag boven de quantum goed laag. De veelvoudige elektrodenpoorten worden op de multi-layer halfgeleider met de poorten gevormd die van elkaar door een gebied uit elkaar worden geplaatst onder wie de quantumpunten kunnen worden bepaald. De aangewezen voltages die op de elektroden worden staan de ontwikkeling toegepast toe en het aangewezen plaatsen die van de quantumpunten, een groot aantal quantumpunten toestaat wordt gevormd in een reeks met aangewezen koppeling tussen de punten.