A process of reducing critical dimension (CD) microloading in dense and isolated regions of etched features of silicon-containing material on a substrate uses a plasma of an etchant gas and an additive gas. In one version, the etchant gas comprises halogen species absent fluorine, and the additive gas comprises fluorine species and carbon species, or hydrogen species and carbon species.

Un proceso de reducir la dimensión crítica (CD) microloading en regiones densas y aisladas de características grabadas al agua fuerte del material silicio-que contiene en un substrato utiliza un plasma de un gas etchant y de un gas aditivo. En una versión, el gas etchant abarca el flúor ausente de la especie del halógeno, y el gas aditivo abarca especie del flúor y especie del carbón, o especie del hidrógeno y especie del carbón.