In certain implementations, a method for chip singulation is provided including etching a frontside dicing trench from a front side of a wafer, forming a temporary holding material, in the frontside dicing trench, etching a backside dicing trench from a back side of the wafer along the frontside dicing trench, removing the temporary holding material and releasing the chip from the wafer or an adjacent chip. Certain implementations may include etching through surface deposited layers on the front side of the wafer. Certain implementations may further include completely filling the frontside dicing trench with the temporary holding material and etching the backside dicing trench to the temporary holding material that is in the frontside dicing trench, such that removing the temporary holding material self-dices the wafer. Certain implementations may include surrounding MEMS structures with the temporary holding material so as to hold the structures during etching of the back side of the wafer. Some implementations may include providing a carrier wafer over the front side of the wafer. In certain implementations, the temporary holding material may be parylene, deposited by vapor deposition. In such implementations, the parylene may be removed by dry etching with an oxide plasma etch.

Em determinadas execuções, um método para o singulation da microplaqueta é fornecido including gravar uma trincheira cortando do frontside de um lado dianteiro de um wafer, dando forma a um material prendendo provisório, na trincheira cortando do frontside, gravando uma trincheira cortando da parte traseira de um lado traseiro do wafer ao longo da trincheira cortando do frontside, removendo prender provisório material e liberar a microplaqueta do wafer ou de uma microplaqueta adjacente. Determinadas execuções podem incluir gravura a água-forte com as camadas depositadas superfície no lado dianteiro do wafer. Determinadas execuções podem mais mais incluir completamente o enchimento da trincheira cortando do frontside com o material prendendo provisório e gravar a trincheira cortando da parte traseira ao material prendendo provisório que está na trincheira cortando do frontside, tal que removendo o material prendendo provisório self-corta o wafer. Determinadas execuções podem incluir estruturas cercando de MEMS com o material prendendo provisório para prender as estruturas durante gravura a água-forte do lado traseiro do wafer. Algumas execuções podem incluir fornecer um wafer do portador sobre o lado dianteiro do wafer. Em determinadas execuções, o material prendendo provisório pode ser parylene, depositado pelo deposition do vapor. Em tais execuções, o parylene pode ser removido gravura a água-forte seca com gravura em àgua forte do plasma do óxido.