A semiconductor wafer processing system for polishing a substrate that generally includes a base having a first side and a second side, and at least one drive system that is disposed on the first side of the base. One or more polishing heads are coupled to the drive system for retaining a workpiece during polishing. A first enclosure is disposed on the first side of the base and defines a first volume that includes the drive system. A second enclosure is disposed on the second side of the base and defines a second volume. A first exhaust is coupled to the second volume. When the system is coupled to a facilities exhaust or other air handler, the first exhaust ventilates the second volume. In another aspect, a method for processing a substrate is also disclosed. Generally, the method includes the steps of monitoring the flow metrics of a first exhaust from a first enclosure and a second exhaust from a second enclosure. If the flow metrics fall outside a predetermined processing window, a step of polishing the substrate is stopped.

Системы обработки вафли полупроводника для полировать субстрат вообще вклюает основание имея первую сторону и вторую сторону, и по крайней мере один сыстемы драйва который размещан на первой стороне основания. One or more полируя головки соединены к сыстемы драйва для сохранять workpiece во время полировать. Первое приложение размещано на первой стороне основания и определяет первый том вклюает сыстемы драйва. Второе приложение размещано на второй стороне основания и определяет второй том. Первое вытыхание соединено к второму тому. Когда система соединена к средства выматывается или другой укротитель воздуха, первое вытыхание вентилирует второй том. В другом аспекте, метод для обрабатывать субстрат также показан. Вообще, метод вклюает шаги контролировать metrics подачи первого вытыхания от первого приложения и второго вытыхания от второго приложения. Если остановлено снаружи падения metrics подачи предопределенное обрабатывая окно, шаг полировать субстрат.

 
Web www.patentalert.com

< Control of combustibles during firing

< Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity

> Titanium-based composite material, method for producing the same and engine valve

> Honeycomb body with adsorber material, in particular, for a hydrocarbon trap

~ 00074