An organic silicon gas having Si--H bond and Si--C bond is supplied onto a Si-contained base material, to form a SiC film on a main surface of the base material. Moreover, An organic silicon gas having Si--H bond and Si--C bond is supplied onto a Si-contained base material, to form a SiC underfilm. Then, a SiC film is formed on the SiC underfilm to fabricate a SiC multi-layered film structure.

Un gas orgánico del silicio que tiene silicio -- enlace de H y silicio -- enlace de C se provee sobre una materia prima Silicio-contenida, para formar una película de SiC en una superficie principal de la materia prima. Por otra parte, un gas orgánico del silicio que tiene silicio -- enlace de H y silicio -- enlace de C se provee sobre una materia prima Silicio-contenida, para formar un underfilm de SiC. Entonces, una película de SiC se forma en el underfilm de SiC para fabricar una estructura de varias capas de la película de SiC.