The present invention discloses a method for forming a layer of nitrogen and silicon containing material on a substrate by first providing a heated substrate and then flowing a gas which has silicon and nitrogen atoms but no carbon atoms in the same molecule over said heated substrate at a pressure of not higher than 500 Torr, such that a layer of nitrogen and silicon containing material is formed on the surface. The present invention is further directed to a composite structure that includes a substrate and a layer of material containing nitrogen and silicon but not carbon overlying the substrate for stopping chemical species from reaching the substrate. The present invention is further directed to a structure that includes a semiconducting substrate, a gate insulator on the substrate, a nitrogen-rich layer on top of the gate insulator, and a gate electrode on the nitrogen-rich layer, wherein the nitrogen-rich layer blocks diffusion of contaminating species from the gate electrode to the gate insulator.

Присытствыющий вымысел показывает метод для формировать слой азота и кремния содержа материал на субстрате сперва обеспечивать нагретый субстрат и после этого пропускать газ не имеет атомы кремния и азота но никакие атомы углерода в такой же молекуле над сказанным нагретым субстратом на давлении более высоко чем 500 торр.их, такое что слой азота и кремния содержа материал сформирован на поверхности. Присытствыющий вымысел более добавочно направлен к составной структуре вклюает субстрат и слой материала содержа азот и кремний но не углерод overlying субстрат для останавливать химически вид от достижения субстрата. Присытствыющий вымысел более добавочно направлен к структуре вклюает semiconducting субстрат, изолятор строба на субстрате, азот-bogaty1 слой on top of изолятор строба, и электрод строба на азот-bogatom слое, при котором азот-bogaty1 слой преграждает диффузию загрязняясь вида от электрода строба к изолятору строба.