An operation method for a static random access memory (SRAM) device. The SRAM device has a plurality of memory cells. Each of the memory cells is periodically refreshed to retain valid data. The operation method comprising receiving an access address and a refresh address for the SRAM device and detecting whether a transition pulse and a refresh pulse being generated. The access address is used for accessing data stored in the SRAM device and the refresh address is used for periodically refreshing the memory cell in the SRAM. The transition pulse is generated by an address transition detector when a read/write operation is issued. The refresh pulse is generated in response to a refresh clock being in an active state.

Метод деятельности для статического приспособления памяти случайного доступа (SRAM). Приспособление SRAM имеет множественность ячейкы памяти. Каждый из ячейкы памяти периодически освежено для того чтобы сохранить действительные данные. Метод деятельности состоя из получающ адрес доступа и адрес освежать для приспособления SRAM и обнаруживающ пульсируют ли ИМП ульс перехода и освежать производил. Адрес доступа использован для достигая данных, котор хранят в приспособлении SRAM и адрес освежать использован для периодически освежать ячейкы памяти в SRAM. ИМП ульс перехода произведен детектором перехода адреса когда read/write деятельность выдана. ИМП ульс освежать произведен in response to часы освежать находясь в рабочее состояние.

 
Web www.patentalert.com

< C-axis oriented lead germanate film

< Capacitor with high-.epsilon. dielectric or ferroelectric material based on the fin stack principle

> Integrated circuit configuration having at least two capacitors and method for manufacturing an integrated circuit configuration

> Semiconductor device with copper wiring connected to storage capacitor

~ 00068